我院方宇副教授团队在物理学top和Nature index期刊Applied Physics Letters上发表最新研究工作，相关成果题为“Ultrafast broadband carrier and exciton dynamics of Fe centers in GaN”，DOI: 10.1063/5.0156570，并被选为Editor's Pick（编辑精选）文章。

该工作利用飞秒瞬态吸收光谱研究了Fe缺陷对GaN晶体光生载流子和双光子诱导的超快激子动力学的影响。通过Fe缺陷态能级模型来分析和解释不同激发方式下瞬态吸收机制的差异。特别是在双光子激发下，适中的载流子浓度有利于Fe²⁺与价带空穴快速形成束缚激子态（<20 ps）。本文的研究为GaN: Fe中缺陷态和载流子吸收光谱动力学之间的关系提供了更清晰的认知，为GaN在宽带非线性光子学和超快光电子器件领域的应用具有重要参考价值。

图1 GaN:Fe在单光子和双光子激发下的瞬态吸收光谱

图2 基于Fe缺陷态的载流子俘获模型图